| 型号：IXTU2N80P | 类别：FET - 单 | 制造商：IXYS |
| 封装：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA | 描述：MOSFET N-CH TO-251 | |
详细参数
| 类别 | FET - 单 |
|---|---|
| 描述 | MOSFET N-CH TO-251 |
| 系列 | PolarHV™ |
| 制造商 | IXYS |
| FET型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET特点 | 标准 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 800V |
| 电流_连续漏极（Id）0a025000C | 2A |
| 开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 6 欧姆 @ 1A，10V |
| Id时的Vgs（th）111最大222 | 5.5V @ 50µA |
| 闸电荷（Qg）0a0Vgs | 10.6nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）0a0Vds | 440pF @ 25V |
| 功率_最大 | 70W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 供应商设备封装 | TO-251 |
| 包装 | 管件 |
供应商
| 深圳市华雄半导体(集团)有限公司 | 王0512-67241533 |
| 深圳市银芯龙科技有限公司 | 欧阳13510131896 |
| 深圳市鑫远鹏科技有限公司 | 谌小姐15112667855 |
| 深圳市华斯顿电子科技有限公司 | 朱咸华0755-83777708/83777607/82799993 |
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| 上海传泽电子科技有限公司 | 陈13381567868 |
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